自2026年Q1以來,全球晶片股迎來歷史級狂漲,漲勢之猛、覆蓋之廣、估值跳升之快,皆刷新多年紀錄,成為金融市場最耀眼也最令人不安的焦點。這波行情並非單一個股炒作,而是從美韓到台港、從設計到製造、從存儲到材料的全鏈條共振,背後既有AI算力革命的堅實支撐,也夾雜著資金狂熱與預期透支,呈現「高景氣與大泡沫並存」的瘋狂特質。
這輪晶片狂潮以費城半導體指數(SOX)為風向標,截至2026年5月上旬,SOX年內漲幅逾65%,過去6周市值暴增約8萬億美元,走出2000年網路泡沫頂峰以來最強6周表現。個股方面,美韓龍頭漲勢驚人,執筆時(11日),英特爾(US.INTC)年內漲幅達238.5%,近一年漲515%;AMD(US.AMD)年內漲112.5%,近一年漲353.6%;三星電子單日暴漲逾14%,市值突破1萬億美元;SK海力士年內累漲約188%,市值突破9000億港元。
亞太市場同樣瘋狂,港股瀾起科技(06809)年內累漲逾330%,A股科創50指數一度暴漲逾9%。材料端更是誇張,法國Soitec年初至今漲幅達484%,環球晶圓單周漲38%。存儲晶片價格同步飆升,2026年第一季度常規DRAM合約價按季漲90%至95%,伺服器DRAM漲約90%,NAND Flash漲55%至60%,量價齊升帶動業績爆發,三星首季度營業利潤按年增7.6倍,超過2025年全年利潤。
此輪漲勢核心驅動力,是AI算力需求的指數級爆發,徹底重塑晶片需求結構。過去晶片需求依賴手機、電腦等消費電子,如今全球70%存儲晶片直接供應AI伺服器;單台AI訓練伺服器存儲容量是傳統伺服器的三至八倍,HBM(高頻寬記憶體)需求增十倍以上。AI大模型訓練、推理、數據處理全鏈條消耗海量算力,微軟(US.MSFT)、谷歌(US.GOOG)、亞馬遜(US.AMZN)等巨頭投入數千億美元建AI基礎設施,需求至少持續至2027年,形成「剛性需求無天花板」的市場共識。
供應方面呈現結構性收縮,供需失衡達到極致:在2023至2024年行業低谷期,全球六大存儲廠商集體減產25%,導致當前產能不足;三星、SK海力士、美光科技(US.MU)將90%先進產能轉向HBM,擠佔普通存儲產能;新產能實質釋放最早要到2027年下半年,未來兩年供需缺口難以彌補。此外,業績超預期與資金擁抱形成「戴維斯雙擊」,龍頭企業季報普遍大超預期,全年指引樂觀,疊加全球流動性寬鬆,公募、私募、散戶資金瘋狂湧入,「做多全球半導體」成為最擁擠交易,科技股持倉佔比創歷史新高。
但我們必需留意箇中的深層風險,包括估值泡沫、需求見頂、產能過剩與地緣衝突等因素。當前晶片板塊估值已脫離基本面合理區間,中證晶片產業指數PE(TTM)達118.2倍,5年分位83.97%;SW半導體指數PE為100.59倍,處2019年以來78.59%高分位。部分龍頭預期市盈率脫離常識,如美光下財年營業利潤率被預測達78%,而其過去30年平均利潤率僅4.5%。高盛警告,半導體已進入「危險區」,類似2000年網路泡沫,股價完全按「最完美劇本」定價,輕微不及預期即可能引發踩踏。
再者,當前行業增長高度依賴AI基礎設施投資,結構極度單一。一旦雲廠商資本開支放緩、AI大模型落地不及預期或企業IT預算收縮,高增長敘事將瞬間崩塌。歷史經驗顯示,技術革命常經歷「過度樂觀-理性回歸」,當前巨頭瘋狂建廠或已透支未來兩至三年需求;且AI推理需求放量速度慢於預期,若訓練需求高峰過後出現「青黃不接」,晶片價格與業績將面臨雙殺。
此外,當前供不應求是短期產能收縮與高端擠壓的結果,但全球廠商已啟動瘋狂擴產:DRAM資本支出增14%,NAND增5%,三星、SK海力士、美光相繼宣布千億級擴產計劃。這些產能將在2027年下半年集中釋放,而AI需求增速或逐步放緩,供需格局將逆轉,恐重蹈2018至2019年「價格暴跌、業績虧損」的覆轍。
另外,全球晶片產業已成地緣博弈核心,中美科技競爭、出口管制、產業政策壁壘不斷升級。美國限制先進工藝設備出口,荷蘭收緊EUV光刻機管制,導致先進製程突破受阻;各國推動「本土產能」,全球供應鏈分裂為兩大陣營,技術標準不兼容,阻礙迭代速度。此外,關稅壁壘、貿易摩擦隨時可能升級,導致成本暴漲、訂單中斷,衝擊業績與估值。
長期來看,AI算力革命與國產替代雙邏輯未變,晶片行業仍是未來5至10年高成長賽道,具備長牛潛力。但短期內,板塊已陷入「估值泡沫、交易擁擠、預期透支」的瘋狂狀態,四大風險如懸頂之劍,隨時可能觸發劇烈回調。投資者須理性看待行情,避免盲目追高,警惕高景氣終將見頂、大泡沫終將爆破的歷史規律,在狂熱中保持警惕,在長趨勢中把握結構性機會,小心純炒作的高風險資產,防範泡沫爆破帶來的重大損失。《信誠證券聯席董事及負責人員 張智威》
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