24,713.78
+46.54
(+0.19%)
24,401
-287
(-1.16%)
低水313
8,206.37
+1.46
(+0.02%)
4,325.45
+34.11
(+0.79%)
1,810.85億
3,891.60
+27.32
(+0.707%)
4,480.27
+30.23
(+0.679%)
13,454.74
+166.77
(+1.255%)
2,645.60
+23.99
(+0.92%)
75,946.0000
+301.5200
(0.399%)
英特爾
  • 101.050
  • +3.910
  • (+4.025%)
  • 最高
  • 104.420
  • 最低
  • 99.290
  • 成交股數
  • 1.19億
  • 成交金額
  • 98.75億
  • 前收市
  • 97.140
  • 開市
  • 101.365
  • 盤後
  • 101.770
  • 0.720
  • (+0.712%)
  • 最高
  • 104.986
  • 最低
  • 100.890
  • 成交股數
  • 2.27百萬
  • 成交金額
  • 2.09億
  • 買入
  • 101.600
  • 賣出
  • 101.800
  • 市值
  • 5,134.92億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 550594
  • 每宗成交金額
  • 17,935
  • 波幅
  • 13.784%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/48.71
  • 周息率/預期
  • 0.13%/--
  • 10日股價變動
  • 5.480%
  • 風險率
  • 32.940
  • 振幅率
  • 4.020%
  • 啤打系數
  • 3.600

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 16/09/2026 17:35:15
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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