24,604.29
-109.49
(-0.44%)
24,582
+10
(+0.04%)
低水22
8,175.36
-31.01
(-0.38%)
4,310.74
-14.71
(-0.34%)
1,855.86億
3,875.60
-16.00
(-0.411%)
4,460.16
-20.11
(-0.449%)
13,409.91
-44.83
(-0.333%)
2,624.89
-20.71
(-0.78%)
76,327.7200
+121.7200
(0.160%)
英特爾
  • 101.050
  • +3.910
  • (+4.025%)
  • 最高
  • 104.420
  • 最低
  • 99.290
  • 成交股數
  • 1.20億
  • 成交金額
  • 99.54億
  • 前收市
  • 97.140
  • 開市
  • 101.365
  • 盤前
  • 103.690
  • 2.640
  • (+2.613%)
  • 最高
  • 103.980
  • 最低
  • 101.050
  • 成交股數
  • 1.44百萬
  • 成交金額
  • 6.79千萬
  • 買入
  • 103.680
  • 賣出
  • 103.750
  • 市值
  • 5,134.92億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 550594
  • 每宗成交金額
  • 18,078
  • 波幅
  • 13.784%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/48.71
  • 周息率/預期
  • 0.13%/--
  • 10日股價變動
  • 5.480%
  • 風險率
  • 32.940
  • 振幅率
  • 4.020%
  • 啤打系數
  • 3.600

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 17/09/2026 06:38:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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