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  • 前收市
  • 44.130
  • 開市
  • 45.000
  • 盤後
  • 48.080
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  • 最高
  • 48.280
  • 最低
  • 47.667
  • 成交股數
  • 3.10百萬
  • 成交金額
  • 1.38億
  • 買入
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  • 賣出
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  • 市值
  • 2,204.37億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 440024
  • 每宗成交金額
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  • 波幅
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  • 交易所
  • NASDAQ
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  • 52周高低
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  • 0.28%/--
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  • 風險率
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  • 振幅率
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報價延遲最少15分鐘。美東時間: 01/04/2026 19:06:00
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

31/03/2026 03:28

美股動向|美光股價再挫逾5%,存儲晶片行業周期隱憂未解

  《經濟通通訊社31日專訊》美光科技(US.MU)股價周一(30日)早段再挫5.6%,延續過去兩周自業績公布以來的跌勢。儘管加拿大皇家銀行(RBC)最新報告唱好存儲晶片價格前景,但市場憂慮谷歌母公司Alphabet(US.GOOG)新技術將衝擊行業周期。

 

  RBC報告預測,DRAM價格將於2026年第二季按季大漲50%,並持續增長至2027年下半年。報告指出,美光正加速量產HBM4高帶寬存儲晶片,有望把握價格升勢轉化為盈利。分析師認為,數據中心對HBM需求激增,將抵銷智能手機需求放緩影響,有助降低行業周期性波動。

 

  然而,Alphabet上周五(27日)公布的新型記憶體壓縮技術引發市場憂慮。該技術可縮減記憶體容量同時提升性能,被視為應對存儲晶片供應短缺的創新方案。業界預期,隨着更多企業採用類似技術,加上美光等廠商擴產增加供應,HBM價格將面臨下行壓力,行業周期或再度轉向。

 

  分析指出,存儲晶片行業本質的周期性特徵仍難消除,技術突破與產能擴張的雙重作用,可能加速價格回落周期重臨,導致美光股價持續受壓。

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