據《路透》獲悉，中國科學家今年初在深圳打造出一台極紫外光(EUV)光刻機的原型機，將用於生產尖端半導體芯片，這些芯片將為人工智能、智能手機以及現代武器系統提供動力。

　　這項被形容為「中國曼哈頓計劃」的秘密工程項目，凸顯中國銳意在AI芯片技術領域與西方匹敵。所謂「曼哈頓計劃」，即美國秘密研製原子彈的戰時計劃。

*目標2028年使用國產光刻機實現芯片生產*

　　報道稱，這台原型機於2025年初完成，目前正在測試中。兩位知情人士透露，這台設備由荷蘭半導體巨頭ASML的前工程師團隊打造，他們對該公司的極紫外光刻機進行了逆向工程。中國的原型機能夠成功產生極紫外光，但尚未生產出可用芯片，政府的目標是在2028年實現芯片生產，但更有可能到2030年才實現量產。

　　這項計劃在中國國家半導體戰略框架下運作。根據官方媒體報道，這一戰略由中共中央政治局常委兼中央科技委員會主任丁薛祥負責統籌。華為在其中扮演核心角色，負責協調一個由國家科研院所、供應商和工程團隊組成的網絡，這個網絡涉及數千名工作人員。

　　以上突破標誌著半導體自給自足計劃取得一定成果，儘管中國的半導體目標是公開信息，但深圳的EUV項目一直處於秘密推進狀態。ASML首席執行官Christophe Fouquet今年4月曾表示，中國要開發這類技術需要「很多很多年」。但這台原型機的存在，意味著中國實現半導體自主的時間可能比分析師預期的提前數年。

　　華為、中國國務院、中國駐華盛頓大使館以及中國工業和信息化部均未回應置評請求。
《經濟通通訊社18日專訊》

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